文献
J-GLOBAL ID:200902205587284823
整理番号:09A0713557
高感度,無標識バイオセンシングのためのナノワイヤー場-効果トランジスターの製作
Fabrication of Si Nanowire Field-Effect Transistor for Highly Sensitive, Label-Free Biosensing
著者 (21件):
KUDO Takashi
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KASAMA Toshihiro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
IKEDA Takeshi
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
HATA Yumehiro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
TOKONAMI Shiho
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
YOKOYAMA Shin
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KIKKAWA Takamaro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SUNAMI Hideo
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
ISHIKAWA Tomohiro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SUZUKI Masato
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
OKUYAMA Kiyoshi
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
TABEI Tetsuo
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
OHKURA Kensaku
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KAYABA Yasuhisa
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
TANUSHI Yuichiro
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
AMEMIYA Yoshiteru
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
CHO Yoshinori
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MONZEN Tomomi
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MURAKAMI Yuji
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
KURODA Akio
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
NAKAJIMA Anri
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
48
号:
6,Issue 2
ページ:
06FJ04.1-06FJ04.4
発行年:
2009年06月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)