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資料名：
巻： 45 号： 4B ページ： 3084-3087 発行年： 2006年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902206143481009
整理番号：06A0421108
結晶方位に依存する湿式エッチングによって作製した(111)チャネル表面を持つ多重フィン型二重ゲート金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの有効キャリア移動度の実験的研究
Experimental Study of Effective Carrier Mobility of Multi-Fin-Type Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors with (111) Channel Surface Fabricated by Orientation-Dependent Wet Etching
LIU Yongxun
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUGIMATA Etsuro
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ISHII Kenichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MASAHARA Meishoku
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ENDO Kazuhiko
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MATSUKAWA Takashi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
YAMAUCHI Hiromi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
O’UCHI Shinichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI Eiichi
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 4B ページ： 3084-3087 発行年： 2006年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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