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文献
J-GLOBAL ID:200902206419693307   整理番号:03A0758233

GaN,AlGaNとInGaNエピ層におけるキャリア再結合過程

Carrier recombination processes in GaN, AlGaN, and InGaN epilayers
著者 (5件):
ICHIMIYA M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
HAYASHI T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
WATANABE M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
OHATA T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
ISHIBASHI A
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)

資料名:
Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)

巻: 199  号:ページ: 347-354  発行年: 2003年09月 
JST資料番号: D0774A  ISSN: 0031-8965  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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