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著者 (5件)：
資料名：
巻： 199 号： 2 ページ： 347-354 発行年： 2003年09月
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902206419693307
整理番号：03A0758233
GaN,AlGaNとInGaNエピ層におけるキャリア再結合過程
Carrier recombination processes in GaN, AlGaN, and InGaN epilayers
ICHIMIYA M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
HAYASHI T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
WATANABE M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
OHATA T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
ISHIBASHI A
(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applied Research
(Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 199 号： 2 ページ： 347-354 発行年： 2003年09月
JST資料番号： D0774A ISSN： 0031-8965 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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