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著者 (9件)：
資料名：
巻： 86 号： 3 ページ： 033104.1-033104.3 発行年： 2005年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902206961536773
整理番号：05A0197031
パルス性MOCVDによるGaNナノワイヤの制御成長
Controlled growth of GaN nanowires by pulsed metalorganic chemical vapor deposition
KIPSHIDZE G
(Texas Tech Univ., Texas)
,
YAVICH B
(Texas Tech Univ., Texas)
,
CHANDOLU A
(Texas Tech Univ., Texas)
,
YUN J
(Texas Tech Univ., Texas)
,
KURYATKOV V
(Texas Tech Univ., Texas)
,
AHMAD I
(Texas Tech Univ., Texas)
,
AURONGZEB D
(Texas Tech Univ., Texas)
,
HOLTZ M
(Texas Tech Univ., Texas)
,
TEMKIN H
(Texas Tech Univ., Texas)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 86 号： 3 ページ： 033104.1-033104.3 発行年： 2005年01月17日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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