文献
J-GLOBAL ID:200902207698263607
整理番号:06A0854151
接触材料の比接触抵抗に及ぼす4H-SiCへのAlイオン注入の効果
Effects of Al ion implantation to 4H-SiC on the specific contact resistance of TiAl-based contact materials
著者 (3件):
ITO Kazuhiro
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
,
TSUKIMOTO Susumu
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
,
MURAKAMI Masanori
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
資料名:
Science and Technology of Advanced Materials
(Science and Technology of Advanced Materials)
巻:
7
号:
6
ページ:
496-501
発行年:
2006年09月
JST資料番号:
W1262A
ISSN:
1468-6996
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)