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文献
J-GLOBAL ID:200902207698263607   整理番号:06A0854151

接触材料の比接触抵抗に及ぼす4H-SiCへのAlイオン注入の効果

Effects of Al ion implantation to 4H-SiC on the specific contact resistance of TiAl-based contact materials
著者 (3件):
ITO Kazuhiro
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
TSUKIMOTO Susumu
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)
MURAKAMI Masanori
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 606-8501, JPN)

資料名:
Science and Technology of Advanced Materials  (Science and Technology of Advanced Materials)

巻:号:ページ: 496-501  発行年: 2006年09月 
JST資料番号: W1262A  ISSN: 1468-6996  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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