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文献
J-GLOBAL ID:200902208089746029   整理番号:08A0392305

α-SiC基板上における3C-SiCの気液固相成長 1 成長機構

Vapor-Liquid-Solid Growth of 3C-SiC on α-SiC Substrates. 1. Growth Mechanism
著者 (6件):
SOUEIDAN Maher
(Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
SOUEIDAN Maher
(Lebanese Atomic Energy Commission, Beirut, LBN)
FERRO Gabriel
(Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
KIM-HAK Olivier
(Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
CAUWET Francois
(Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
NSOULI Bilal
(Lebanese Atomic Energy Commission, Beirut, LBN)

資料名:
Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)

巻:号:ページ: 1044-1050  発行年: 2008年03月 
JST資料番号: W1323A  ISSN: 1528-7483  CODEN: CGDEFU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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