文献
J-GLOBAL ID:200902209417477762
整理番号:04A0421543
分光偏光解析法による16O+-注入シリコン基板内の酸素深さプロフィルの高精度分析
High-Precision Analysis of Oxygen Depth Profile in 16O+-Implanted Silicon Substrates by Spectroscopic Ellipsometry
著者 (4件):
IIKAWA H
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
NAKAO M
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
GRUSKA B
(SENTECH Instruments, Berlin, DEU)
,
IZUMI K
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
151
号:
5
ページ:
G373-G376
発行年:
2004年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)