文献
J-GLOBAL ID:200902209980471800
整理番号:04A0020987
rf反応性スパッタリングで作製したTi-Si-N薄膜の構造と性質におよぼすスパッタリング条件の効果
Influence of sputtering conditions on the structure and properties of Ti-Si-N thin films prepared by r.f.-reactive sputtering
著者 (6件):
NOSE M
(Takaoka National Coll., Takaoka, JPN)
,
DEGUCHI Y
(Toyama Univ., Toyama, JPN)
,
MAE T
(Toyama National Coll. of Technol., Toyama, JPN)
,
HONBO E
(Toyama Industrial Res. Center, Takaoka, JPN)
,
NAGAE T
(Toyama Industrial Res. Center, Takaoka, JPN)
,
NOGI K
(Osaka Univ., Ibaraki, JPN)
資料名:
Surface & Coatings Technology
(Surface & Coatings Technology)
巻:
174/175
ページ:
261-265
発行年:
2003年09月
JST資料番号:
D0205C
ISSN:
0257-8972
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)