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著者 (5件)：
資料名：
巻： 282 号： 1-2 ページ： 36-44 発行年： 2005年08月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902210493048097
整理番号：05A0667521
有機金属気相エピタクシーによってGaAs基板上に成長したIn0.2Ga0.8As層における貫通転位密度の温度依存性
Temperature dependence of threading dislocation density in In0.2Ga0.8As layers grown on GaAs substrates by metalorganic-vapor phase epitaxy
TAKANO Y.
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, JPN)
,
KOBAYASHI K.
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, JPN)
,
SHIRAKATA S.
(Fac. of Engineering, Ehime Univ., 3 Bunkyo-cho Matsuyama, Ehime 790-8577, JPN)
,
UMEZAWA M.
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, JPN)
,
FUKE S.
(Dep. of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8561, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 282 号： 1-2 ページ： 36-44 発行年： 2005年08月15日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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