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文献
J-GLOBAL ID:200902211711679637   整理番号:08A0360561

高性能キャッシュの変動トレランスおよび低電圧動作用8T-SRAM

An 8T-SRAM for Variability Tolerance and Low-Voltage Operation in High-Performance Caches
著者 (8件):
CHANG Leland
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
MONTOYE Robert K.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
NAKAMURA Yutaka
(IBM Global Engineering Serv., Kyoto, JPN)
BATSON Kevin A.
(IBM Systems and Technol. Group, VT, USA)
EICKEMEYER Richard J.
(IBM Systems and Technol. Group, MN, USA)
DENNARD Robert H.
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
HAENSCH Wilfried
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA)
JAMSEK Damir
(IBM Austin Res. Lab, TX, USA)

資料名:
IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)

巻: 43  号:ページ: 956-963  発行年: 2008年04月 
JST資料番号: B0761A  ISSN: 0018-9200  CODEN: IJSCBC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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