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文献
J-GLOBAL ID:200902211813882640   整理番号:07A1056327

二段階大気圧プラズマ増強蒸着-酸化過程を用いたSiO2層の低温形成

Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process
著者 (5件):
KAKIUCHI Hiroaki
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
OHMI Hiromasa
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
HARADA Makoto
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
WATANABE Heiji
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)
YASUTAKE Kiyoshi
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamada-oka, Suita, Osaka ...)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 91  号: 16  ページ: 161908-161908-3  発行年: 2007年10月15日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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