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著者 (4件)：
資料名：
巻： 42 号： 1 ページ： 23-27 発行年： 2003年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902211916164869
整理番号：03A0184035
連続波レーザ照射によるガラス上の薄膜トランジスタの予め規定した活性領域での選択的な単結晶性シリコンの成長
Selective Single-Crystalline-Silicon Growth at the Pre-defined Active Region of a Thin Film Transistor on Glass by Using Continuous Wave Laser Irradiation.
HARA A
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
YOSHINO K
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
TAKEUCHI F
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
,
SASAKI N
(Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 1 ページ： 23-27 発行年： 2003年01月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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