文献
J-GLOBAL ID:200902212010526050
整理番号:06A0643009
Si電気化学エッチングを用いる高アスペクト比アレイ構造の加工
Fabrication of high-aspect-ratio arrayed structures using Si electrochemical etching
著者 (2件):
SATO Hirotaka
(Dep. of Applied Chemistry, Waseda Univ., Okubo, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, 169-8555, JPN)
,
HOMMA Takayuki
(Dep. of Applied Chemistry, Waseda Univ., Okubo, 3-4-1 Okubo, Shinjuku-ku, Tokyo, 169-8555, JPN)
資料名:
Science and Technology of Advanced Materials
(Science and Technology of Advanced Materials)
巻:
7
号:
5
ページ:
468-474
発行年:
2006年07月
JST資料番号:
W1262A
ISSN:
1468-6996
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)