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著者 (9件)：
資料名：
巻： 82 号： 22 ページ： 3901-3903 発行年： 2003年06月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902212669247574
整理番号：03A0409341
多段階パルスレーザ蒸着で成長したC面サファイア上のエピタキシャルZnO薄膜の高電子移動度
High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on c-plane sapphire grown by multistep pulsed-laser deposition
KAIDASHEV E M
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
LORENZ M
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
WENCKSTERN H V
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
RAHM A
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
SEMMELHACK H-C
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
HAN K-H
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
BENNDORF G
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
BUNDESMANN C
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
HOCHMUTH H
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 22 ページ： 3901-3903 発行年： 2003年06月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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