文献
J-GLOBAL ID:200902213020082653
整理番号:06A0592868
プラズマ支援原子層蒸着したAl2O3によって不動態化されたc-Si基板における非常に低い表面再結合
Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposited Al2O3
著者 (5件):
HOEX B.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
,
HEIL S. B. S.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
,
LANGEREIS E.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
,
VAN DE SANDEN M. C. M.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
,
KESSELS W. M. M.
(Dep. of Applied Physics, Eindhoven Univ. of Technol., P.O. Box 513, 5600 MB Eindhoven, NLD)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
89
号:
4
ページ:
042112-042112-3
発行年:
2006年07月24日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)