文献
J-GLOBAL ID:200902213371287987
整理番号:03A0618697
金属ゲートおよびHfO2ゲート誘電体をもつ新型CMOSデバイスにおけるキャリア移動度
Carrier mobility in advanced CMOS devices with metal gate and HfO2 gate dielectric
著者 (7件):
LIME F
(IMEP, Grenoble, FRA)
,
OSHIMA K
(IMEP, Grenoble, FRA)
,
CASSE M
(CEA, Grenoble, FRA)
,
GHIBAUDO G
(IMEP, Grenoble, FRA)
,
CRISTOLOVEANU S
(IMEP, Grenoble, FRA)
,
GUILLAUMOT B
(CEA, Grenoble, FRA)
,
IWAI H
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻:
47
号:
10
ページ:
1617-1621
発行年:
2003年10月
JST資料番号:
H0225A
ISSN:
0038-1101
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)