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資料名：
巻： 2 号： 3 ページ： 034501.1-034501.3 発行年： 2009年03月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902215057257880
整理番号：09A0334351
InPホットエレクトロントランジスタにおける高相互コンダクタンスと高電圧利得に対するゲート絶縁の改良
Improvement in Gate Insulation in InP Hot Electron Transistors for High Transconductance and High Voltage Gain
SAITO Hisashi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
MIYAMOTO Yasuyuki
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
FURUYA Kazuhito
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 3 ページ： 034501.1-034501.3 発行年： 2009年03月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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