文献
J-GLOBAL ID:200902215353661912
整理番号:03A0117979
活性チャネル層としてZnOを用いた透明薄膜トランジスタとその電気特性
Transparent thin film transistors using ZnO as an active channel layer and their electrical properties.
著者 (6件):
MASUDA S
(Minolta Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
KITAMURA K
(Minolta Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
OKUMURA Y
(Minolta Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
MIYATAKE S
(Minolta Co., Ltd., Osaka, JPN)
,
TABATA H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KAWAI T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
93
号:
3
ページ:
1624-1630
発行年:
2003年02月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)