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著者 (4件)：
資料名：
巻： 103 号： 9 ページ： 093502 発行年： 2008年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902215734663270
整理番号：08A0550741
ワイドバンドギャップZnOにおける高温強度と転位移動度 種々の半導体との比較
High-temperature strength and dislocation mobility in the wide band-gap ZnO: Comparison with various semiconductors
YONENAGA I.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
KOIZUMI H.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
OHNO Y.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
,
TAISHI T.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 103 号： 9 ページ： 093502 発行年： 2008年05月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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