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資料名：
巻： 84 号： 12 ページ： 2088-2090 発行年： 2004年03月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902215934350292
整理番号：04A0269702
4H-SiC C(000-1)面上に作製した金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの電気的特性に対するゲート酸化法の効果
Effect of gate oxidation method on electrical properties of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors fabricated on 4H-SiC C(000<span style=text-decoration:overline>1</span>) face
FUKUDA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KATO M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KOJIMA K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SENZAKI J
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 84 号： 12 ページ： 2088-2090 発行年： 2004年03月22日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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