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J-GLOBAL ID：200902215997116877 整理番号：06A0006195

Hf基高kゲート絶縁膜の走査型容量顕微鏡で調べた誘電特性の空間ゆらぎ

Spatial fluctuation of dielectric properties in Hf-based high-k gate films studied by scanning capacitance microscopy

著者 (8件)：

NAITOU Y.

(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Umezono 1-1-1, Tsukuba ...)

ANDO A.

(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Umezono 1-1-1, Tsukuba ...)

OGISO H.

(Advanced Manufacturing Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-2-1 Namiki ...)

KAMIYAMA S.

(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)

NARA Y.

(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)

NAKAMURA K.

(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)

WATANABE H.

(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)

YASUTAKE K.

(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)

資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

巻： 87 号： 25 ページ： 252908-252908-3 発行年： 2005年12月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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