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文献
J-GLOBAL ID:200902216273472503   整理番号:03A0706692

移動液相帯域法によって成長させたInxGa1-xAs合金結晶の成長条件を予測するための一次元模型

A one-dimensional model to predict the growth conditions of InxGa1-xAs alloy crystals grown by the traveling liquidus-zone method
著者 (5件):
NAKAMURA H
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
HANAUE Y
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
KATO H
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
KINOSHITA K
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
YODA S
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)

資料名:
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

巻: 258  号: 1/2  ページ: 49-57  発行年: 2003年10月 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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