文献
J-GLOBAL ID:200902216972731379
整理番号:04A0656940
12.7kV超高電圧SiC整流ゲートターンオフサイリスタ:SICGT
12.7kV Ultra High Voltage SiC Commutated Gate Turn-off Thyristor: SICGT
著者 (7件):
SUGAWARA Y
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
,
TAKAYAMA D
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
,
ASANO K
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
,
AGARWAL A
(CREE Inc., NC, USA)
,
RYU S
(CREE Inc., NC, USA)
,
PALMOUR J
(CREE Inc., NC, USA)
,
OGATA S
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
16th
ページ:
365-368
発行年:
2004年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)