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文献
J-GLOBAL ID:200902216972731379   整理番号:04A0656940

12.7kV超高電圧SiC整流ゲートターンオフサイリスタ:SICGT

12.7kV Ultra High Voltage SiC Commutated Gate Turn-off Thyristor: SICGT
著者 (7件):
SUGAWARA Y
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
TAKAYAMA D
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
ASANO K
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
AGARWAL A
(CREE Inc., NC, USA)
RYU S
(CREE Inc., NC, USA)
PALMOUR J
(CREE Inc., NC, USA)
OGATA S
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)

資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)

巻: 16th  ページ: 365-368  発行年: 2004年 
JST資料番号: W1300A  ISSN: 1943-653X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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