文献
J-GLOBAL ID:200902217026635676
整理番号:05A0579693
強く光励起した半導体における有効質量異方性と有効質量差の効果
Effects of Effective Mass Anisotropy and Effective Mass Difference in Highly Photoexcited Semiconductors
著者 (5件):
MIZOO Kazumasa
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara)
,
MIZOO Kazumasa
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Kyoto)
,
INAGAKI Takeshi J.
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara)
,
UESHIMA Yutaka
(Japan Atomic Energy Res. Inst., Kyoto)
,
AIHARA Masaki
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara)
資料名:
Journal of the Physical Society of Japan
(Journal of the Physical Society of Japan)
巻:
74
号:
6
ページ:
1745-1749
発行年:
2005年06月15日
JST資料番号:
G0509A
ISSN:
0031-9015
CODEN:
JUPSA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)