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文献
J-GLOBAL ID:200902217172989765   整理番号:03A0300832

4H-SiC(000-1)C面のエピタキシャル成長

著者 (8件):
児島一聡
(超低損失電力素子技術開発研究体)
鈴木誉也
(新機能素子研究開発協)
黒田悟史
(産業技術総合研)
先崎純寿
(超低損失電力素子技術開発研究体)
加藤真
(超低損失電力素子技術開発研究体)
福田憲司
(超低損失電力素子技術開発研究体)
田中知行
(超低損失電力素子技術開発研究体)
荒井和雄
(超低損失電力素子技術開発研究体)

資料名:
応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)

巻: 50th  号:ページ: 440  発行年: 2003年03月27日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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