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著者 (9件)：
資料名：
巻： 4 号： 2 ページ： 317-321 発行年： 2004年02月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902217297798341
整理番号：04A0198129
プラズマ増強CVD法による半導体単層炭素ナノチューブの優先的成長
Preferential Growth of Semiconducting Single-Walled Carbon Nanotubes by a Plasma Enhanced CVD Method
LI Y
(Stanford Univ., California)
,
MANN D
(Stanford Univ., California)
,
ROLANDI M
(Stanford Univ., California)
,
KIM W
(Stanford Univ., California)
,
URAL A
(Stanford Univ., California)
,
HUNG S
(Stanford Univ., California)
,
JAVEY A
(Stanford Univ., California)
,
CAO J
(Stanford Univ., California)
,
WANG D
(Stanford Univ., California)
資料名：
Nano Letters
(Nano Letters)
巻： 4 号： 2 ページ： 317-321 発行年： 2004年02月
JST資料番号： W1332A ISSN： 1530-6984 CODEN： NALEFD 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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