文献
J-GLOBAL ID:200902219731164073
整理番号:03A0656573
WDM-PON中においてASE注入Fabry-Perotレーザダイオードを用いた,70°C領域を超える155Mビット/s伝送
155 Mbit/s transmission using ASE-injected Fabry-Perot laser diode in WDM-PON over 70°C temperature range.
著者 (9件):
SHIN D J
(Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
,
JUNG D K
(Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
,
LEE J K
(Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
,
LEE J H
(Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
,
BANG Y C
(Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
,
SHIN H S
(Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
,
LEE J
(Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
,
HWANG S T
(Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
,
OH Y J
(Samsung Electronics, Gyeonggi-do, KOR)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
39
号:
18
ページ:
1331-1332
発行年:
2003年09月04日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)