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著者 (4件)：
資料名：
巻： 92 号： 14 ページ： 141110 発行年： 2008年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902219798969610
整理番号：08A0383277
GaNAs歪補償層を用いたInAs量子ドットのスペーサ層厚低減
Reduction of spacer layer thickness of InAs quantum dots using GaNAs strain compensation layer
SUZUKI Ryoichiro
(Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
MIYAMOTO Tomoyuki
(Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
SENGOKU Tomoyuki
(Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
KOYAMA Fumio
(Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 92 号： 14 ページ： 141110 発行年： 2008年04月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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