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資料名：
巻： 108 号： 121(ED2008 39-108) ページ： 351-355 発行年： 2008年07月02日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902219844498571
整理番号：08A0833271
リン酸エッチング後に作製したNi/i-AlGaN/GaNショットキ試料
Characterization of Ni/i-AlGaN/GaN Schottky Samples Fabricated after H3PO4-Etching
SAWADA Takayuki
(Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN)
,
KAIZUKA Yuta
(Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN)
,
TAKAHASHI Kensuke
(Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN)
,
IMAI Kazuaki
(Hokkaido Inst. Technol., Sapporo, JPN)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 108 号： 121(ED2008 39-108) ページ： 351-355 発行年： 2008年07月02日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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