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資料名：
巻： 216 号： 1/4 ページ： 287-290 発行年： 2003年06月30日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902220036127378
整理番号：03A0506024
光子エネルギー依存光電子分光によるSi(100)上に形成した酸化窒化膜の深さプロフィリング
Depth profiling of oxynitride film formed on Si(100) by photon energy dependent photoelectron spectroscopy
NISHIZAKI K
(Musashi Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
NOHIRA H
(Musashi Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KAMAKURA N
(RIKEN, Hyogo, JPN)
,
TAKATA Y
(RIKEN, Hyogo, JPN)
,
SHIN S
(RIKEN, Hyogo, JPN)
,
KOBAYASHI K
(Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., Hyogo, JPN)
,
TAMURA N
(Fujitsu Ltd., Mie-ken, JPN)
,
HIKAZUTANI K
(Fujitsu Ltd., Mie-ken, JPN)
,
HATTORI T
(Musashi Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 216 号： 1/4 ページ： 287-290 発行年： 2003年06月30日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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