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文献
J-GLOBAL ID:200902220163704406   整理番号:06A0256566

イオン増強注入されたフォトレジスト除去の表面特性評価

Surface characterization of ion-enhanced implanted photoresist removal
著者 (5件):
KAWAGUCHI Mark N.
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
PAPANU James S.
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
SU Bo
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
CASTLE Matthew
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
AL-BAYATI Amir
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)

資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

巻: 24  号:ページ: 657-663  発行年: 2006年03月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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