文献
J-GLOBAL ID:200902220163704406
整理番号:06A0256566
イオン増強注入されたフォトレジスト除去の表面特性評価
Surface characterization of ion-enhanced implanted photoresist removal
著者 (5件):
KAWAGUCHI Mark N.
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
,
PAPANU James S.
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
,
SU Bo
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
,
CASTLE Matthew
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
,
AL-BAYATI Amir
(Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
資料名:
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻:
24
号:
2
ページ:
657-663
発行年:
2006年03月
JST資料番号:
E0974A
ISSN:
1071-1023
CODEN:
JVTBD9
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)