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資料名：
巻： 44 号： 9A ページ： 6403-6411 発行年： 2005年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902220353182074
整理番号：05A0876436
低温の有機金属気相エピタキシャル法によって成長させたGaAs基板上のInGaAs層における貫通転位と相分離
Threading Dislocations and Phase Separation in InGaAs Layers on GaAs Substrates Grown by Low-Temperature Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
TAKANO Yasushi
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
KOBAYASHI Kazu
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
IWAHORI Hideaki
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
UMEZAWA Masayoshi
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
,
SHIRAKATA Sho
(Ehime Univ., Matsuyama, JPN)
,
FUKE Shunro
(Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 9A ページ： 6403-6411 発行年： 2005年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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