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文献
J-GLOBAL ID:200902220786018295   整理番号:05A0496414

パルスレーザ蒸着によるa面サファイア基板上のCuScO2薄膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of CuScO2 thin films on sapphire a-plane substrates by pulsed laser deposition
著者 (7件):
KAKEHI Yoshiharu
(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
SATOH Kazuo
(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
YOTSUYA Tsutom
(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
NAKAO Satoru
(Inst. for Molecular Sci. (IMS), Aichi, JPN)
YOSHIMURA Takeshi
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
ASHIDA Atsushi
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
FUJIMURA Norifumi
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 97  号:ページ: 083535.1-083535.6  発行年: 2005年04月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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