文献
J-GLOBAL ID:200902220786018295
整理番号:05A0496414
パルスレーザ蒸着によるa面サファイア基板上のCuScO2薄膜のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of CuScO2 thin films on sapphire a-plane substrates by pulsed laser deposition
著者 (7件):
KAKEHI Yoshiharu
(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
,
SATOH Kazuo
(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
,
YOTSUYA Tsutom
(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, Osaka, JPN)
,
NAKAO Satoru
(Inst. for Molecular Sci. (IMS), Aichi, JPN)
,
YOSHIMURA Takeshi
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
ASHIDA Atsushi
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
,
FUJIMURA Norifumi
(Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
97
号:
8
ページ:
083535.1-083535.6
発行年:
2005年04月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)