文献
J-GLOBAL ID:200902221102108246
整理番号:04A0856952
P型4H-SiCへのTiAl系Ohm接触の電気的性質と界面微細構造の間の相関
Correlation between the Electrical Properties and the Interfacial Microstructures of TiAl-Based Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC
著者 (5件):
TSUKIMOTO S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
NITTA K
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
SAKAI T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MORIYAMA M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MURAKAMI M
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
33
号:
5
ページ:
460-466
発行年:
2004年05月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)