文献
J-GLOBAL ID:200902222078886760
整理番号:06A0447566
分子ビームエピタキシにより成長した(CdS/ZnSe)/BeTe量子井戸におけるλ≒1.49~3.4μmサブバンド間吸収
λ~1.49-3.4 μm intersubband absorptions in (CdS/ZnSe)/BeTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
著者 (4件):
LI B. S.
(Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
,
AKIMOTO R.
(Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
,
AKITA K.
(Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
,
HASAMA T.
(Ultrafast Photonic Devices Lab., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
88
号:
22
ページ:
221915-221915-3
発行年:
2006年05月29日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)