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著者 (7件)：
資料名：
巻： 23 号： 3 ページ： 1154-1157 発行年： 2005年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902222155835472
整理番号：05A0682272
分子ビームエピタクシーにより(411)A InP基板上に成長させたシュードモルフィックIn0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As変調ドープ量子井戸の電子移動度による界面粗さ特性
Interface roughness characterization by electron mobility of pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As modulation-doped quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy
KATOH S.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SAGISAKA H.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
YAMAMOTO M.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE I.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KITADA T.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHIMOMURA S.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HIYAMIZU S.
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 23 号： 3 ページ： 1154-1157 発行年： 2005年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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