文献
J-GLOBAL ID:200902222436598038
整理番号:07A0433853
ツイン形SiチャンネルのTC-MOSFETと作製プロセスの提案
A Proposal of TC-MOSFET and Fabrication Process of Twin Si Channels
著者 (2件):
OHMI Shun-ichiro
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama-shi, JPN)
,
SAKAI Tetsushi
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama-shi, JPN)
資料名:
IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
(IEICE Transactions on Electronics (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
E90-C
号:
5
ページ:
994-999
発行年:
2007年05月01日
JST資料番号:
L1370A
ISSN:
0916-8524
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)