文献
J-GLOBAL ID:200902222639929641
整理番号:03A0218354
強磁場下のレーザ及び抵抗加熱法を用いて蒸発したビスマスの堆積膜における結晶方位の制御
Control of Crystal Orientation in Deposited Films of Bismuth Vaporized in Laser and Resistance Heating Methods under a High Magnetic Field.
著者 (4件):
TAHASHI M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ISHIHARA M
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SASSA K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ASAI S
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Materials Transactions
(Materials Transactions)
巻:
44
号:
2
ページ:
285-289
発行年:
2003年02月20日
JST資料番号:
G0668A
ISSN:
1345-9678
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)