文献
J-GLOBAL ID:200902223143399320
整理番号:07A1231163
0.13μm RF nMOSFETにおけるSTI効果がフリッカ雑音に及ぼす影響
Impact of STI Effect on Flicker Noise in 0.13-μm RF nMOSFETs
著者 (5件):
CHAN Chih-Yuan
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
LIN Yu-Syuan
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HUANG Yen-Chun
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
HSU Shawn S. H.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
JUANG Ying-Zong
(National Chip Implementation Center, Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
54
号:
12
ページ:
3383-3392
発行年:
2007年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)