Sorry, this section is only available in Japanese.
著者 (23件)：
資料名：
巻： EDD-08 号： 36-45 ページ： 35-39 発行年： 2008年03月06日
JST資料番号： Z0910A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902223466730530
整理番号：08A0322461
トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
High-Performance and Low-Leak Bulk Logic Platform Utilizing FET Specific Multiple Stressors with Highly Enhanced Strain for 45-nm CMOS Technology
宮下俊彦
(富士通研)
,
池田圭司
(富士通研)
,
KIM Y. S.
(富士通研)
,
山本知成
(富士通研)
,
三本杉安弘
(富士通研)
,
落水洋聡
(富士通研)
,
迫田恒久
(富士通研)
,
南方浩志
(富士通研)
,
早見由香
(富士通研)
,
大越克明
(富士通)
,
島宗洋介
(富士通研)
,
福田真大
(富士通)
,
岡部堅一
(富士通)
,
久保智裕
(富士通)
,
田島貢
(富士通)
,
山本智彦
(富士通)
,
大和田保
(富士通)
,
森年史
(富士通)
,
助川和雄
(富士通研)
,
筑根敦弘
(富士通研)
,
池田和人
(富士通研)
,
加勢正隆
(富士通)
,
杉井寿博
(富士通研)
資料名：
電気学会電子デバイス研究会資料
(電気学会研究会資料)
巻： EDD-08 号： 36-45 ページ： 35-39 発行年： 2008年03月06日
JST資料番号： Z0910A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。