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著者 (3件)：
資料名：
巻： 256 号： 3/4 ページ： 341-346 発行年： 2003年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902224024370876
整理番号：03A0552832
化学的気相成長法によるほぼ軸上の(0001)面における6H-SiCホモエピタクシー 第1部:3C-SiC介在物のない広域ホモエピタクシーに対するC/Si比の効果
Homoepitaxy of 6H-SiC on nearly on-axis (0001) faces by chemical vapor deposition Part I: Effect of C/Si ratio on wide-area homoepitaxy without 3C-SiC inclusions
NAKAMURA S
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
KIMOTO T
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
MATSUNAMI H
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 256 号： 3/4 ページ： 341-346 発行年： 2003年09月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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