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著者 (5件)：
資料名：
巻： 42 号： 12 ページ： 7478-7481 発行年： 2003年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902225529073970
整理番号：04A0085706
グラファイト表面への水素ラジカル付加反応と続くシランプラズマ化学蒸着における初期表面過程の第一原理分子軌道研究
Ab initio Molecular Orbital Study on Hydrogen Radical Addition Reactions to Graphite Surface and Subsequent Initial Surface Process in Silane Plasma Chemical Vapor Deposition
SATO K
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
SHINAGAWA E
(Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
,
NAKAJIMA K
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
MIYAZAKI K
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
,
KOINUMA H
(Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 12 ページ： 7478-7481 発行年： 2003年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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