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著者 (5件)：
資料名：
巻： 24 号： 1 ページ： 237-244 発行年： 2006年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902227968447889
整理番号：06A0474985
走査型非線形誘電率顕微鏡によるプレーナトランジスタチャネル構造のドーピング完全性の診断
Doping integrity diagnostics of planar transistor channel structures by scanning nonlinear dielectric microscopy
MATSUKAWA Takashi
(Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
MASAHARA Meishoku
(Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
TANOUE Hisao
(Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
KANEMARU Seigo
(Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
,
SUZUKI Eiichi
(Nanoelectronics Res. Inst., AIST, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 24 号： 1 ページ： 237-244 発行年： 2006年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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