文献
J-GLOBAL ID:200902228559482938
整理番号:05A0363851
ひ化ガリウム(001)におけるひ化インジウム量子ドット成長におけるアンチモンの効果
The effect of antimony in the growth of indium arsenide quantum dots in gallium arsenide (001)
著者 (6件):
SUN Y.
(Univ. California, California)
,
CHENG S.F.
(Univ. California, California)
,
CHEN G.
(Univ. California, California)
,
HICKS R.F.
(Univ. California, California)
,
CEDERBERG J.G.
(Sandia National Lab., New Mexico)
,
BIEFELD R.M.
(Sandia National Lab., New Mexico)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
97
号:
5
ページ:
053503.1-053503.6
発行年:
2005年03月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)