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著者 (6件)：
資料名：
巻： 19th ページ： 13-16 発行年： 2007年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902228989539577
整理番号：08A0095590
より低いEMI雑音とより低いスイッチング損失を特徴とする次世代1200VトレンチゲートFS-IGBTの開発
Development of the next generation 1200V trench-gate FS-IGBT featuring lower EMI noise and lower switching loss
ONOZAWA Y.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
NAKANO H.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
OTSUKI M.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
YOSHIKAWA K.
(Fuji Electric Advanced Technol. Co., Ltd.)
,
MIYASAKA T.
(Fuji Electric Device Technol. Co., Ltd., Nagano, JPN)
,
SEKI Y.
(Fuji Electric Holdings Co., Ltd.)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 19th ページ： 13-16 発行年： 2007年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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