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資料名：
巻： 44 号： 4B ページ： 2152-2156 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902229413280868
整理番号：05A0535156
45nmノード技術およびその先の技術のためのトータル応力を考慮したプロセス設計に基づく斬新な浅いトレンチ アイソレーション プロセス
Novel Shallow Trench Isolation Process from Viewpoint of Total Strain Process Design for 45nm Node Devices and Beyond
ISHIBASHI Masato
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
HORITA Katsuyuki
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
SAWADA Mahito
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
KITAZAWA Masashi
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
IGARASHI Motoshige
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
KUROI Takashi
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
EIMORI Takahisa
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
KOBAYASHI Kiyoteru
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
INUISHI Masahide
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44 号： 4B ページ： 2152-2156 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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