文献
J-GLOBAL ID:200902230608959260
整理番号:08A0781395
骨格前駆体としてテトラメチルシクロテトラシロキサンで作製した超低誘電率のpSiCOH膜
Ultralow dielectric constant pSiCOH films prepared with tetramethylcyclotetrasiloxane as skeleton precursor
著者 (2件):
GRILL A.
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
,
PATEL V.
(IBM T. J. Watson Res. Center, Yorktown Heights, New York 10598, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
104
号:
2
ページ:
024113
発行年:
2008年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)