文献
J-GLOBAL ID:200902231629819006
整理番号:09A0494819
レーザ走査およびアルカリエッチングによる単結晶シリコン上のパターン形成
Patterning on single crystalline silicon by laser scanning and alkaline etching
著者 (2件):
HOSONO Takashi
(Dep. of Mechanical Sciences and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, JPN)
,
TOKURA Hitoshi
(Dep. of Mechanical Sciences and Engineering, Tokyo Inst. of Technol., 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8550, JPN)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
255
号:
15
ページ:
6857-6861
発行年:
2009年05月15日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)