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著者 (6件)：
資料名：
巻： 27 号： 12 ページ： 975-977 発行年： 2006年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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文献
J-GLOBAL ID：200902231959742638
整理番号：06A1014483
バンドギャップエンジニアリング用のエレベートシリコン-ゲルマニウムインパクトイオン化領域をもつI-MOSトランジスタ
I-MOS Transistor With an Elevated Silicon-Germanium Impact-Ionization Region for Bandgap Engineering
TOH Eng-Huat
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
WANG Grace Huiqi
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
CHAN Lap
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
LO Guo-Qiang
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
SAMUDRA Ganesh
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
YEO Yee-Chia
(National Univ. Singapore, Singapore)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 27 号： 12 ページ： 975-977 発行年： 2006年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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