文献
J-GLOBAL ID:200902232032317154
整理番号:05A0154098
高kゲート誘電体上の可調整仕事関数電極のための部分シリサイド技術-HfOx(N)pMOSFETのためのFermi準位ピンニング制御PtSix-
Partial Silicides Technology for Tunable Work Function Electrodes on High-k Gate Dielectrics-Fermi Level Pinning Controlled PtSix for HfOx(N) pMOSFET-
著者 (9件):
NABATAME T
(MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN)
,
KADOSHIMA M
(MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN)
,
IWAMOTO K
(MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN)
,
MISE N
(MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN)
,
MIGITA S
(AIST, Tsukuba, JPN)
,
OHNO M
(MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN)
,
OTA H
(AIST, Tsukuba, JPN)
,
YASUDA N
(MIRAI-ASET, Tsukuba, JPN)
,
TORIUMI A
(AIST, Tsukuba, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2004
ページ:
83-86
発行年:
2004年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)